El futuro de la nanoelectrónica pasa por los chips híbridos.
La universidad de Santa Bárbara (USA) y la compañía Intel acaban de anunciar el desarrollo del primer láser híbrido basado en el silicio utilizando los estándares de la industria electrónica. Esta noticia podría pasar desapercibida, pero sin duda, supondrá una gran revolución a medio plazo en la en la electrónica de consumo.
Una de las grandes aspiraciones de los científicos y tecnólogos es la fabricación de microprocesadores en los que la comunicación entre los transistores que los componen no sea a través de corriente eléctrica sino a través de haces de luz láser (”fotoelectrónica”). Este cambio supondrá un consumo considerablemente menor de energía así como una reducción importantísima en la generación de calor por estos componentes (uno de sus más importantes problemas sino el mayor y que supone a medio y largo plazo su “muerte”).
Hoy por hoy el silicio se utiliza para la producción de electrónica digital en masa, pero también puede ser usado para conducir, detectar, modular y amplificar luz, pero no puede ser utilizado para generarla. Esta circunstancia lo imposibilita para el uso en la fotoelectrónica. Este aspecto es el que acaban de superar la colaboración entre Intel y la Universidad de Santa Barbara. El láser de silicio híbrido involucra un diseño novedoso en el cual se emplean materiales basados en fosfuro de indio (InP) para la generación y amplificación de la radiación, mientras que el silicio se utiliza como guia de luz para contener y controlar el haz láser.
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