Nanoestructuras como el óxido de níquel (NiO) dispuesto en matrices ordenadas son un futuro prometedor para el almacenamiento de la información: se está desarrollando actualmente el llamado “resistive memory switching” que podríamos traducir como memoria resistiva conmutable. Su desarrollo en láminas finas (de espesor nanométrico y, por tanto, nanoestructuras) supone un gran avance debido a la facilidad de su crecimiento, su bajo precio y sus útiles propiedades eléctricas modificables: pueden convertirse en memoria de almacenamiento no volátil (como los pendrives que llevamos en el bolsillo). Es posible disponer el NiO en matrices ordenadas de fácil acceso, aplicar un voltaje eléctrico y modificar su resistencia interna, de manera que se almacena un bit o dato de información, un nuevo impulso eléctrico recupera la información siendo posble mantenerla en ese estado o modificarla.

Actualmente pocos grupos en España se están dedicando a este campo pero quizás en el Laboratorio de Recubrimientos y Nanoestructuras del Departamento de Física Aplicada de la Universidad Autónoma de Madrid pronto se obtengan algunos resultados.

Gurkhy

- Conferencia en el TNT 2005 (Trends in Nanotechnology, Oviedo, 2005) sobre ésta técnica aplicada sobre un compuesto orgánico: http://www.phantomsnet.net/files/abstracts/TNT2005/TNT05_AlbaManuela.pdf?Fundacion=937031bee54d4d89fe0ba27bb9bc77ff
- Artículo donde se estudia las propiedades del NiO como almacenador de información mediante el método de conmutación resistiva: http://adsabs.harvard.edu/abs/2006ApPhL..88w2106K
- Almacenamiento Holográfico (desarrollo de Daewoo): http://sine.ni.com/cs/app/doc/p/id/cs-685
- Laboratoro de Recubrimientos y Nanoestructuras, UAM: http://web.uam.es/gruposinv/LRN/